1. III-V 화합물반도체 에피 설계 및 성장 기술
◦ InGaAs/InP 기반 단일광자 검출기(SPAD/APD)용 SAGCM 구조 설계
◦ MOCVD 기반 고정밀 에피 성장 및 두께·조성 제어 기술
◦ 고품질 에피 구현을 위한 결함 및 불순물 제어 기술
2. 단일광자 검출기(SPAD/APD) 소자 구조 설계 기술
◦ 고감도·저잡음 특성 확보를 위한 전계 분포 최적화 설계
◦ Geiger-mode 동작 기반 단일광자 검출 구조 설계
◦ 고이득 아발란체 증폭 및 암계수율 저감 기술
3. 광소자 공정 및 패키징 기술
◦ Guard-ring 구조 및 Ohmic contact 형성 공정 기술
◦ 저잡음 특성 확보를 위한 표면 패시베이션 및 미세 공정 기술
◦ 열관리 및 차광 구조 기반 고신뢰성 패키징 기술
4. 광소자 특성 평가 및 신뢰성 분석 기술
◦ Geiger-mode 기반 단일광자 검출 특성 평가 기술
◦ 광자검출효율(PDE) 및 암계수율(DCR) 기반 성능 분석 기술
◦ 장기 신뢰성 평가 및 고장 메커니즘 분석 기술
극한환경(방사선&수중 등)로봇 개발&제작&제어&운용 기술
• 고성능 로봇 설계 기술(Mechanical Design)
• CAE 해석 관련 기술(Simulation and Analysis)
• 회로 설계 및 제작 기술(Circuit and Firmware)
• 소프트웨어 관련 기술(Software)
• 최신 로봇 제어 기술(Contorl System)
차세대 원전(SMR 및 가동원전) 상태 감시용 하이브리드 저전력 스마트 진동센서 및 예측진단 시스템
• 초격차 1 (전력효율 극대화): 차세대 Wi-Fi HaLow 기반 설계로 1일 24회 송신 조건에서도 24개월 이상 연속 동작(8500mAh 배터리 기준)하는 압도적 전력 효율 달성
• 초격차 2 (원전 EMI 규제 해결): 최대 유효 방사 출력을 NRC R.G. 1.180 허용 기준치(27dBm) 이하인 -60dBm 수준으로 정밀 제어하여, 원전 핵심 안전 기기와의 전자기 간섭을 완벽히 차단
• 초격차 3 (하이브리드 엣지 & 듀얼 AI): 1차 상시 감시(MEMS 센서)와 2차 이상 징후 정밀 감시(Piezo 센서)를 분리 작동시키고, 현장 데이터 학습 AI와 범용 AI가 교차 검증하여 진단 신뢰도 95% 이상을 확보
무절연 고온초전도 자석 원천기술과 마스터코일 기반 고온초전도 케이블, 자석, 시스템
• 극한 환경에서 요구되는 초고자장·대전류 성능을 만족하는 맞춤형 고온초전도 케이블 및 자석, 그리고 통합 자석 시스템을 설계·제작·검증까지 포괄하는 토탈 솔루션임
• 무절연(Non-insulation) HTS 자석 원천기술을 기반으로 26.4T 자석, 45.5T 자석 등 세계 최고 수준의 고자기장 성능을 실증함
• 스위스 SULTAN 시험에서 10.8T 외부자기장, 91kA 전류, 100ton/m 전자기력을 견디는 케이블 성능을 달성하여 글로벌 최고 수준의 HTS 케이블 전류·자기장 성능을 입증함
• 고자기장·대전류 조건에서 1,300회 이상 반복 충방전 및 의도적 퀜치 시험 후에도 성능 저하 없음을 실증하여 반복 운전 조건에서의 내구성을 검증함
• 접합·권선 등 핵심 공정에 대해 자체 설계한 전용 장비를 개발·적용하고, 무절연·무솔더 기반 권선 및 접합 기술을 통해 공정을 단순화함
• 케이블-자석을 연계한 설계 최적화를 통해 고객 요구 성능에 맞춘 과잉 사양을 제거하여 비용 절감을 실현함
반도체(시스템 반도체) / Moreh AI Infrastructure Platform
• 100% PyTorch 호환성을 통해 코드 수정 없이 NVIDIA, AMD, NPU 등 이기종 하드웨어 지원 가능한 SW 환경 제공, 지능형 스케줄링·스케일링으로 자원 효율성 극대화 가능
초고성능 저전력 차량용 반도체 및 SoC 개발 설계 기술인 SRAP(Scalable Reconfigurable Automotive SoC Platform)
• 자동차 반도체에 필수적인 기능 안전까지 포함하여 저전력 고성능 자동차 반도체를 효율적으로 개발할 수 있는 강력한 Tool로서 Reconfigurability로 분야별 Customize와 Scalability를 통해 컴퓨팅 파워를 제공할 수 있는 SoC 플랫폼 기술
자성 특성 비파괴 고속 분석을 위한 자기장 발생 장치 개발 및 정밀 제어
• 현재 스핀트로닉스 반도체 분석 장비 시장은 미국 KLA가 독점하고 있으며, 국내 대체 장비가 없는 상태임. KLA의 장비는 고가(100억 원)이며, 하부의 단일 솔레노이드 코일 구조상 수직 자기 이방성을 갖는 STT-MRAM 제품에만 적용 가능함. 따라서, Toggle MRAM, SOT-MRAM 등 제품의 구조가 변화할 경우, 설비를 다시 개발해야 하며, 반도체 제조사는 장비를 재구매해야 함. 경쟁사 대비, 당사 제품은 한 쌍의 소형 솔레노이드 코일로 구성됨. 편광으로 커 효과를 모니터링 하는 국소 영역에만 균질한 자기장을 집중시킴으로 자기장 가변 속도가 매우 빠르며 저전력임. 더불어, 각 코일에 전류를 제어함으로써 자기장 벡터를 변화 가능하여, 스테이지 회전과 함께 3차원 자기장 접속이 가능함
고해상도/고속 구현 가능한 8K UHD급 LCoS-SLM 백플레인 SoC 기술
• 셀쿱스의 핵심기술은 8K UHD급 LCoS-SLM 백플레인 SoC 설계 및 구현 기술로, 초고해상도 환경에서 정밀한 위상 제어가 가능한 광학 제어용 반도체 기술임
• 해당 기술은 기존 FHD급 또는 일부 4K급 SLM의 한계를 극복하고, 반도체·디스플레이 검사, 광학 계측, 레이저 응용 분야에 적용 가능한 고해상도·고속 구동 특성을 보유함
• 주요 성능은 8K4K(7,680×4,320) 해상도, 최대 360Hz 구동속도, 최소 3.2μm 픽셀 크기, 2π 이상 위상지연 설계, 90% 이상 Fill Factor 수준으로 제시됨
• Silterra Malaysia 180nm LCoS 전용 공정을 활용한 제조기술과 Miyota 패키징 협력체계를 기반으로, 설계부터 공정·모듈화까지 연계 가능한 사업화 역량을 확보하고 있음
냉전자원(CFE), 엑스레이 소스 제조, 극자외선 광원 제조, 극자외선 검사시스템
• 냉전자원(CFE), 상온 동작 전자빔으로 고해상도 이지징 용 전자원, 차세대 엑스레이 및 극자외선 광원 개발의 핵심 기술
• 엑스레이 소스 제조: 세계 최고 성능의 CFE 기반 차세대 엑스레이 소스 제작 기술은 사업의 판도를 바꿀 수 잇는 핵심 기술임, 차세대 엑스레이 소스를 이용한 반도체 비파괴 검사 기술에 응용. 특히 차세대 HBM 비파괴 대면적 검사에 적용 가능한 세계 유일의 기술로 평가함
• 극자외선 광원제조: 냉전자원을 핵심 기술로 이용한 세계 최초의 극자외선 광원 원천기술 개발 완료, 미국 등의 선진국에 특허 등록 완료. 향후 극자외선 검사 기술 및 검사 장치의 핵심 기술로 등극 할 것으로 평가함
• 극자외선 검사시스템: 차세대반도체 핵심공정인 극자외선 공정에 필요한 핵심 부품을 검사 할 수 있는 세계에서 가장 간결한 극자외선 검사 시스템. 극자외선 공정용 부품 및 소재 검사의 헥심 장치가 될 것으로 평가함